Намаляването на стъпката на проектиране при полупроводниковата литография налага по-внимателно разглеждане на обещаващите материали чак до анализа на разположението на отделните атоми. С тази задача обикновено се справя сканиращият тунелен микроскоп. Но възможностите му не са неограничени и в някои случаи той не е в състояние да разграничи отделните атоми, което е от решаващо значение […]
прочети още
Източник:
kaldata.com
назад към списъка с новини