Samsung обяви, че е започнала масово производство на 3D V-NAND TLC чипове за флаш памет от 9-то поколение с капацитет 1 TB. Новите чипове предлагат по-голяма плътност и енергийна ефективност в сравнение с 3D V-NAND TLC чиповете памет от 8-мо поколение. Производителят не уточнява броя на слоевете, използвани в състава на паметта 3D V-NAND TLC […]
прочети още
Източник:
kaldata.com
назад към списъка с новини